The 2nd IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications in Europe. Leon Fauth, aus der ehemaligen Arbeitsgruppe von Jens Friebe an der Leibniz Universität Hannover hat sein Paper zum Thema: „Neutron radiation-induced failure rate of 650 V lateral GaN power devices“ vorgestellt. Es handelt sich hierbei um eine der ersten Veröffentlichungen zu sogenannten „Single-Event-Breakdowns“ für neuartige Leistungshalbleiter. Die sogenannten GaN Leistungshalbleiter sind beispielsweise in neuen USB-Netzteilen für Handys enthalten und ermöglichen immer kleinere Bauformen. Sie werden in Zukunft auch in der Elektromobilität, Photovoltaikwechselrichtern und beispielsweise Luftfahrtanwendungen eingesetzt werden.