The 2nd IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications in Europe. Leon Fauth, aus der ehemaligen Arbeitsgruppe von Jens Friebe an der Leibniz Universität Hannover hat sein Paper zum Thema: „Neutron radiation-induced failure rate of 650 V lateral GaN power devices“ vorgestellt. Es handelt sich hierbei um eine der ersten Veröffentlichungen zu sogenannten „Single-Event-Breakdowns“ für neuartige Leistungshalbleiter. Die sogenannten GaN Leistungshalbleiter sind beispielsweise in neuen USB-Netzteilen für Handys enthalten und ermöglichen immer kleinere Bauformen. Sie werden in Zukunft auch in der Elektromobilität, Photovoltaikwechselrichtern und beispielsweise Luftfahrtanwendungen eingesetzt werden. 
 

The 2nd IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices & Applications in Europe. Leon Fauth, aus der ehemaligen Arbeitsgruppe von Jens Friebe an der Leibniz Universität Hannover hat sein Paper zum Thema: „Neutron radiation-induced failure rate of 650 V lateral GaN power devices“ vorgestellt. Es handelt sich hierbei um eine der ersten Veröffentlichungen zu sogenannten „Single-Event-Breakdowns“ für neuartige Leistungshalbleiter. Die sogenannten GaN Leistungshalbleiter sind beispielsweise in neuen USB-Netzteilen für Handys enthalten und ermöglichen immer kleinere Bauformen. Sie werden in Zukunft auch in der Elektromobilität, Photovoltaikwechselrichtern und beispielsweise Luftfahrtanwendungen eingesetzt werden.