Ausstattung
Auf dieser Seite erhalten Sie einen kurzen Überblick über die bei INA verfügbaren Anlagen und Geräte. Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen zu einzelnen Geräten haben.
Lithographie
Zeiss NVision 40 High End Cross Beam
- Elektronensäule: hochauflösende (1,3nm) Feldemission
- Ionensäule: hochauflösend (4nm), geeignet für Deposition und Ätzen
Raith eLine Elektronenstrahllithographie
- hochauflösend bis <20nm Strukturbreite
- 100 x 100 mm interferometrisch gesteuerter Tisch
- Positionsgenauigkeit 2nm in x- und y-Richtung
- Strahldurchmesser: 1,6nm
Karl Süss MA4 Maskaligner
- bis zu 4"-Substrate, bis zu 7"-Masken
- Auflösung: Standard 800nm, Optional bis 300nm
EVG Al-4 Maskaligner
- bis zu 4"-Substrate, bis zu 5"-Masken
Epitaxieanlagen
Doppelkammer-Molekularstrahl-Epitaxieanlage
- Gekoppelte Anlagen für III-V Halbleiter & SiGe Schichtsysteme
- Semiautomatischer Probentransfer über zentrale Kammer, Wassertoff- Cracker (H)
- Sehr gute Schichtdickenhomogenität, Temperaturhomogenität und Dotierhomogenität
- Ultra Hoch Vakuum (10E-10 - 10E-11 mbar)
- In-situ-Kontrolle mittels RHEED
- Materialien Reactor C: Ga, In Al, As2, P2, Si, Be
- Materialien Reactor D: Si, Ge, B, P
Varian Gen II Modula MBE
- gekoppelte Anlagen für GaAs und InP Schichtsysteme
- Schichtdickengenauigkeit im sub-nm Bereich
- In-situ-Kontrolle mittels RHEED / Ultra Hoch Vakuum ( 10E-8 - 10E-10 mbar )
- Materialien : Ga, In, Al, As2, Si, Be
- Reaktor A: Silizium E-Beam-Verdampfer, Wasserstoff-Cracker (H)
- Reaktor B: Phosphor-Cracker
Deposition
Roth ß Rau Ionsys 1000 IBD
Ion Beam Deposition
- Reinraumklasse 1
- Multischichtsysteme (DBR,VCSEL,etc.)
- In-situ-Kontrolle
- Material: Metalle(z.B. Al,Zr,Cr), Oxide(z.B.ITO,TiO,SiO2), Nitride(z.B.Si2N3)
- Prozessgase: Argon(Ar), Xenon(Xe), Sauerstoff(O2), Stickstoff(N2)
Pfeiffer PLS 500 Aufdampfanlage
- Elektronenstrahl oder thermisch
- Material: Titan(Ti), Nickel(Ni), Chrom(Cr), Platin(Pt), Aluminium(Al)
Balzers BAK 600 Aufdampfanlage
- Elektronenstrahl oder thermisch
- Prozessgas: Argon (Ar)
- Material: Nickel (ni), Titan (Ti), Platin (Pt), Gold (Au), Germanium (Ge), Chrom (Cr)
Oxford Plasmalab 80 PECVD
Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition
Emitech K550 Sputter Coater
- Prozessgase: Argon (Ar)
- Material: Platin (Pt)
Trockenätzanlagen
2 Oxford Plasmalab 100 ICP-RIE
Inductive Coupled Plasma - Reactive Ion Etching
- ICP 1: mit Fluordonatoren für das Silizium-Tiefätzen (Bosch-Prozess)
- ICP 2: mit Chlordonatoren für das Ätzen von Halbleitermaterialien (z.B. GaAs)
Castor und Pollux RIE
Reactive Ion Etching
Parallelplattenreaktor
- Prozessgase: Trifluormethan(CHF3), Schwefelhexafluorid(SF6),Sauerstoff(O2)
- Material: Siliziumnitrid(SiN), Siliziumoxid(SiO)
Oxford Plasmalab 80 Plus RIE
Reactive Ion Etching
Parallelplattenreaktor
- Prozessgase: Wasserstoff(H2), Methan(CH4)
- für: Indium(In)-,Phosphor(P)-,Gallium(Ga)-,Arsen(As)-Verbindungshalbleiter (z.B. InP)
Plasmalab RIE
Reactive Ion Etching
- Ätzen von BCB, SiN, SiO2, Si
- Gase: CHF3, Ar, SF6, O2
Analytik
DualScopeTM 95 SPM System
- DualScopeTM 95 SPM Scanner bietet die Einrichtungen für alle SPM-Modi.
- Integrierte Elektronik garantiert niedrigsten Rauschpegel in elektrischen SPM-Modi.
- Unterstützte Modi: Kontaktmodus (DC), intermittierenden Modus (AC), Nicht-Kontakt-Modus, Frequenzmodulationsmodus, Querkraft-Modus, Kraft-Spektroskopie, EFM, MFM, STM
2 Scanning Electron Microscopes / Hitachi s-4000 und s-4100
- Auflösung: 1,5nm bei 30kV, WD 5mm
- Vergrösserung: 20x bis 300000x
- Beschleunigungsspannung: 0,5 bis 30kV
- s-4000: Aktives Bildverarbeitungssystem DISS 5
- s-4100: Energiedispersives Spektrometer EDAX DX-4, Backscattered electron detector
Spektroskopie-Messplatz
Absorptions- und Photolumineszenz-Spektroskopie
- Temperatur regelbar bis 10K
- Sub-nm spektrale Auflösung
- Si-Photodiode und InGaAs-Diode für Wellenlängen bis ins Infrarote
- Lock-In Detektion
Mikro-Photolumineszenz-Spektroskopie
- hochauflösender Monochromator
- stickstoffgekühlte Detektoren
- Kryostat gekühlt mit flüssigem Helium
- hochauflösende Positionsgenauigkeit
Phillips PW 3710 MPD Röntgendiffraktometer
- Hohe Auflösung ( Dicke, Verspannung, Versetzungen )
- 3-Achsen Geometrie
- Pulver messbar
... und mehr